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Inserito:

ciao a tutti,

sto approcciando piano piano al fantastico mondo dell'elettronica e muovendo nuovi passi volevo provare a testare il funzionamento di un IGBT.

Ho in mano un k20n60 (gak022) e da quello che ho capito è un transistor con diodo.

Se ho capito bene, una prima prova può consistere nel controllare se il gate è isolato (giusto?) dagli altri due terminali.

Attendo bacchettate😅

Inserita: (modificato)

Se non ricordo male l'acronimo IGBT vuol dire Insulated Gate Bipolar Transistor, quindi è una sorta di ibrido tra un MOSFET e un Transistor. 

 

Dal datasheet viene dichiarata una Leakage current tra il Gate e l'emettitore di qualche centinaio di nA. Se provi a fare un conto a spanne, troverai una certa "resistenza" se metti la vge a +-20V. Credo che un comune tester manco ci riesca a misurarla.

Modificato: da ALLUMY
Inserita:
3 ore fa, ALLUMY ha scritto:

qualche centinaio di nA

Mi correggo, qualche decina di nA.

Ma supponendo che la massima leakage current sia di 100nA (0,0001mA) con VGE di 20V, la "resistenza" sarebbe di circa 200Mohm.

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